엔비디아 젠슨 황 CEO가 16일(현지시간) 미국 새너제이에서 열린 'GTC 2026' 현장에서 삼성전자 부스를 방문해 기념촬영을 하고 있다. 왼쪽부터 황상준 메모리개발담당 부사장, 엔비디아 젠슨 황 CEO, 한진만 파운드리 사업부장 사장. / 사진=삼성전자

엔비디아에 6세대 고대역폭메모리(HBM4)를 최초로 납품한 삼성전자가 이번엔 7세대 제품인 HBM4E를 최초로 공개했다. 한때 인공지능(AI) 반도체 시장 초기 대응에 실패했다는 지적을 받았었으나 HBM4를 기점으로 글로벌 반도체 왕좌 탈환에 고삐를 죄는 모양새다.

삼성전자는 16일(현지시각) 미국 새너제이에서 열린 엔비디아의 연례 최대 컨퍼런스 GTC2026에서 HBM4E 실물과 코어다이 웨이퍼를 최초로 선보였다.


삼성전자의 HBM4E는 핀당 동작속도 초당 16Gb(기가비트), 대역폭 초당 4.0TB(테라바이트)를 구현했다. 전작 HBM4의 동작속도(최대 13Gb)와 대역폭(3.3TB)을 크게 상회하는 성능이다.

이 제품은 엔비디아가 내년 하반기 선보일 AI 가속기 '루빈 울트라'에 탑재될 것으로 알려졌다.

삼성전자는 앞서 지난 2월 엔비디아에 공급할 HBM4를 세계 최초로 양산 출하했다고 밝힌 바 있다. 기세를 몰아 HBM4E까지 최초로 공개하면서 AI 반도체 시장에서의 입지를 확대하고 있다.


삼성전자는 압도적인 기술력과 생산능력을 바탕으로 글로벌 메모리 반도체 시장 1위를 지켜온 절대 강자이다. 하지만 AI 시대가 도래하면서 HBM4 이전 세대까지 적기 대응에 실기해 SK하이닉스에 주도권을 내준 바 있다.

한때 미국 마이크론에도 점유율이 뒤처지며 시장의 우려를 샀으나 삼성전자는 반도체사업(DS) 부문의 새로운 수장으로 최고의 '기술통'으로 꼽히는 전영현 부회장을 선임하며 전열을 가다듬었다. 조직개편을 통해서도 HBM 역량 강화해 집중했고 관련 인재들을 전진배치해 기술력 강화에 공을 들였다.

이재용 회장도 직접 힘을 보탰다. 특히 지난해 말 서울에서 젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)와 '깐부회동'을 통해 남다른 협력 관계를 다지면서 분위기가 크게 달라졌다는 평가다.

삼성전자는 앞으로도 초격차를 잇기 위한 경쟁력 강화에 나선다. 이번 GTC에서 TCB 대비 열 저항을 20% 이상 개선하고 16단 이상 고적층을 지원하는 HCB 기술을 공개하며 차세대 HBM을 위한 기술력을 강조했다.

삼성전자 관계자는 "종합반도체 기업(IDM)만의 토털 솔루션을 통해 개발 효율을 강화해 고성능 HBM 시대에서도 성능과 품질을 압도하는 기술 선순환 구조를 구축할 계획"이라고 말했다.

이어 "AI 팩토리 혁신을 위해서는 엔비디아의 베라 루빈 플랫폼과 같은 강력한 AI시스템이 필수적이고 삼성전자는 이를 지원하는 고성능 메모리 솔루션을 지속적으로 공급해 나갈 예정"이라며 "양사는 이러한 협력을 바탕으로 글로벌 AI 인프라 패러다임 전환을 함께 이끌어 갈 것"이라고 강조했다.