삼성전자가 차세대 메모리 기술 비전을 공개했다. 사진은 삼성전자가 업계 최초로 선보인 수직 적층 400단 이상의 'V10 BV-NAND' 제품 이미지. /사진제공=삼성전자

삼성전자가 FMS 2026에서 업계 최초로 차세대 3D 메모리 아키텍처 zHBM·zNAND-O 목업을 공개하고 차세대 메모리 기술 비전을 제시했다고 5일 밝혔다.

FMS 2026은 글로벌 기업들이 차세대 메모리·스토리지 기술과 제품을 선보이는 세계 최대 규모의 전시회로 오는 6일(현지시각)까지 미국 캘리포니아주 산타클라라 컨벤션센터에서 열린다. 행사 첫날 이진엽 삼성전자 플래시개발실 부사장과 김경륜 삼성전자 D램개발실 상무는 'AI 혁명의 파도를 주도하기'를 주제로 기조연설했다.


두 연사는 차세대 메모리 기술로 zHBM을 제시했다. zHBM은 AI 가속기 옆에 HBM을 배치하는 기존 방식에서 나아가 AI 가속기 상단에 HBM을 수직으로 적층하는 차세대 아키텍처다. AI 가속기와 메모리 간 데이터 이동 거리를 최소화해 대역폭과 전력효율을 높이고 대규모 AI 모델의 학습과 추론에 필요한 초고속 데이터 처리를 지원한다.

해당 시스템은 HBM5 대비 최대 8배 높은 성능을 제공한다. 짧아진 데이터 간 이동거리로 HBM5 대비 전성비가 최대 3배 향상됐고 열 저항은 절반 이상 낮아졌다. 고객 맞춤형 설계도 가능하다. 메모리와 AI 가속기 사이에 위치한 인터레이어에 맞춤형 IP를 추가해 고객 니즈에 맞춰 제품 특성을 최적화할 수 있다.

삼성전자는 차세대 낸드플래시 설루션인 zNAND-O도 공개했다. 해당 설루션은 기존 V-NAND의 수직 적층 기술을 활용하고 TSV 기술을 결합해 4단 또는 8단 반도체 칩을 3D 패키징한 제품이다. 높은 공간 효율성과 데이터 로딩 대역폭, 빠른 응답 속도를 갖춰 온디바이스 AI 환경에 최적화된 제품으로 평가 받는다.


회사는 업계 최초로 수직 적층 400단 이상의 'V10 BV-NAND'도 선보였다. 삼성전자는 웨이퍼 본딩 기술·3 Stack 기술로 400단 이상의 초고적층을 구현해 메모리 집적도를 전 세대 대비 약 58% 개선했다. 데이터 읽기·쓰기 성능과 입출력(I/O) 속도도 향상됐다.

이외에도 삼성전자는 ▲HBM4E ▲HBM5 ▲LPDDR5X-PIM ▲PM1763 등 고성능 컴퓨팅과 AI 데이터센터에 최적화된 차세대 메모리·스토리지 설루션을 선보였다.

회사 관계자는 "삼성전자는 세계에서 유일하게 메모리·로직·파운드리·패키징까지 아우르는 '원스톱 설루션'을 제공할 수 있는 종합 반도체 기업"이라며 "차별화된 설루션을 통해 AI시대의 반도체 기술 리더십을 지속 강화해 나갈 것"이라고 했다.