삼성전자가 세계 최초로 ‘10나노급 D램 반도체 시대’를 열었다. 10나노급(18나노) 8Gb DDR4 D램의 양산으로 다시 한 번 반도체 미세공정의 한계를 돌파한 것.

삼성전자는 5일 “세계 최소 크기인 10나노급 8기가비트(Gb) D램 기술을 확보해 지난 2월부터 양산을 시작했다”고 밝혔다. 1나노는 10억분의 1미터, 머리카락을 1만개로 쪼갠 크기다. 같은 크기의 웨이퍼에 보다 더 촘촘하게 회로선을 넣을수록 반도체의 생산량은 늘어난다.


삼성전자는 2014년 2월 20나노급(2y) 8Gb DDR4 D램을 양산한 바 있다. 당시에도 더 이상 미세 공정 전환은 어렵다는 지적이 있었으나 2년만에 이를 돌파했다. 삼성전자가 이번에 양산에 들어간 D램은 기업용 서버에 들어간다. 조만간 모바일 D램도 양산에 들어간다.

D램의 미세화 공정이 심화될때 소비자들이 체감할 수 있는 것은 모바일 기기의 사용시간이다. D램이 10나노 급으로 공정이 미세화되면서 크기는 더 줄고 소비 전력도 더 크게 줄었다. 그만큼 스마트 기기에 배터리 용량을 늘릴 수 있고 같은 배터리를 탑재해도 사용 시간이 길어진다. 삼성전자 관계자는 “10나노급 기술을 적용하면 20나노 기술에 비해 생산성이 30% 이상 높아진다”며 “10나노급은 20나노에 비해 동작 속도는 30% 이상 빠른 3200Mbps를 구현하면서도 전력은 10∼20% 덜 소비한다”고 설명했다.

삼성전자는 이 D램을 앞세워 PC·서버 시장은 물론 초고해상도 스마트폰 시장까지 선점할 계획이다.


삼성전자가 세계 최초로 개발한 '10나노급 8기가비트 D램' /사진=삼성전자