SK하이닉스는 20나노급 기술을 적용한 8Gb(기가비트) LPDDR4(Low Power DDR4·사진) 제품을 개발했다고 30일 밝혔다. LPDDR4는 표준화가 진행 중인 차세대 모바일 D램 규격으로 초고속, 저전력의 특성을 갖췄다.

이번에 개발한 20나노급 8Gb LPDDR4는 현재 시장 주력제품인 LPDDR3 대비 데이터 전송속도는 높이고 동작전압은 낮췄다. 기존 LPDDR3의 1600Mbps 대비 2배 빠른 3200Mbps 이상의 데이터 전송속도를 갖췄다. 동작전압 측면에서도 기존 LPDDR3의 1.2V 대비 낮은 1.1V를 구현했다. SK하이닉스는 이 제품의 샘플을 주요 고객 및 SoC(System on Chip)업체에 제공해 새로운 모바일 D램 규격 표준화를 위한 협업을 강화하고 있다.

SK하이닉스는 6Gb 및 8Gb LPDDR3에 이어 8Gb LPDDR4도 개발해 모바일시장에서의 주도권을 지속 유지하게 됐다. SK하이닉스는 이 제품을 내년 하반기부터 양산할 계획이다.

진정훈 SK하이닉스 마케팅본부장 전무는 “차세대 모바일 표준인 LPDDR4 제품을 세계 최초로 개발하고 고객에 샘플을 제공해 기술 리더십을 공고히 했다”며 “향후에도 고용량, 초고속, 저전력 제품 개발을 통해 모바일분야 경쟁력을 더욱 강화하겠다”고 말했다.