5일(현지시간) 미국 실리콘밸리에서 열린 '삼성 테크 데이 2022'에서 메모리사업부장 이정배 사장이 차세대 제품 개발 로드맵을 발표를 하고 있다. / 사진=삼성전자

메모리 반도체 시장 세계 1위인 삼성전자가 초격차 기술로 경쟁사와 거리를 벌리며 기술 리더십을 유지해 나가겠다고 선언했다. D램 부문은 내년 5세대 10나노(㎚)급 D램을 양산하고 낸드 플래시는 2024년 9세대 V낸드를 선보인 뒤 2030년까지 1000단 V낸드를 개발한다는 계획이다.

삼성전자는 5일(현지시간) 미국 새너제이 시그니아호텔에서 열린 '삼성 테크데이'에서 이 같은 차세대 제품 로드맵을 공개했다.


삼성전자는 데이터센터용 고용량 32Gb DDR5 D램, 모바일용 저전력 8.5Gbps LPDDR5X D램, 그래픽용 초고속 36Gbps GDDR7 D램 등 차세대 제품도 적기에 출시해 프리미엄 D램 시장의 리더십을 확고히 한다.

내년에는 '5세대 10나노급 D램'을 양산하는 한편 하이케이메탈게이트(HKMG) 공정 등 새로운 공정 기술을 적용한다. HKMG 공정을 적용하면 저전압에서도 고성능을 구현할 수 있으며 기존 공정 대비 전력소모를 13% 줄일 수 있다.

2024년엔 9세대 V낸드를 양산하고 2030년까지 1000단 V낸드를 개발한다. 올해 세계 최고 용량의 8세대 V낸드 기반 1테라비트(Tb) TLC 제품을 양산할 계획이다. 또한 7세대 대비 단위 면적당 저장되는 비트의 수를 42% 향상한 8세대 V낸드 512Gb TLC 제품도 공개했다. 이는 512Gb TLC 제품 중 업계 최고 수준이다.

삼성전자는 데이터센터, 인공지능 등 대용량 데이터가 필요한 다양한 고객 니즈에 대응하기 위해 QLC 생태계를 확대하고 전력 효율도 개선해 고객들의 친환경 경영에 기여해 나갈 계획이다.


차량용 메모리 분야에선 자율주행(AD) 첨단 운전자 지원 시스템(ADAS) 인포테인먼트(IVI) 텔레매틱스 등을 위한 최적의 메모리 솔루션을 공급해 2025년 시장 1위를 달성한다는 목표를 제시했다.

또한 차량의 첨단화, 전동화에 따른 고성능 메모리 필요성이 더욱 커지고 있는 상황에서 삼성전자는 LPDDR5X, GDDR7, 셰어드 스토리지 등 차세대 메모리 솔루션을 제공해 모빌리티 혁신을 이루기로 했다.

삼성전자는 SSD 내부에 탑재되는 D램 없이 PC에 탑재된 D램과 직접 연결하는 HMB 기술을 적용한 SSD 'PM9C1a'도 공개했다.

SSD 내부 연산 기능을 강화한 컴퓨테이셔널 스토리지 개발도 지속한다. 인공지능에 최적화된 고성능·저전력 제품을 통해 지속 가능한 미래를 만들어 나간다는 구상이다.

삼성전자는 고객들에게 차세대 메모리 솔루션 개발·평가를 위한 최적화된 환경을 제공하는 '삼성 메모리 리서치 센터(SMRC)'를 오픈했다. 레드햇·구글 클라우드 등과 협력하며 올해 4분기 한국을 시작으로 미국 등 다른 지역으로 SMRC를 순차적으로 확장해 나갈 계획이다.

이정배 삼성전자 메모리사업부장(사장)은 "삼성전자가 약 40년간 만들어낸 메모리의 총 저장용량이 1조 기가바이트(GB)를 넘어서고 이중 절반이 최근 3년간 만들어졌을 만큼 급변하는 디지털 전환을 체감하고 있다"면서 "향후 고대역폭·고용량·고효율 메모리를 통해 다양한 새로운 플랫폼과 상호진화하며 발전해 나갈 것"이라고 강조했다.